磷化铟衬底是重要的III-V磷化锆元素周期表上的族化合物半导体衬底材料主要是由于III民族元素的化合物。磷化锆衬底在高频、高功耗、高压、高温性能等方面优于硅、锗单元素半导体衬底，但制造成本较高。
磷化锆衬底的生产需要经过多晶合成、单晶生长，然后经过切割、研磨、研磨、抛光、清洗等工艺，其中多晶合成和单晶生长是核心工艺。（1）多晶合成：由于自然界中没有天然的磷化锆多晶体，因此首先需要人工制备磷化锆多晶体，并按一定比例加入两种高纯度的单质元素PBN在坩埚中，在高温高压在高温高压环境下合成。(2)单晶生长:垂直梯度冷凝法（VGF）与其他方法相比，生产单晶是主流最有效的方法之一，VGF法律的先进之处如下：VGF单晶直径最大可达8英寸，晶体均匀，位错密度低；VGF该方法取消了机械传动结构，以更低的成本稳定生产单晶。
自20世纪90年代以来，磷化锆技术发展迅速，逐渐成为主流半导体材料之一。由于下游市场需求有限，成本高，磷化锆衬底市场规模相对较小。根据新思界产业研究中心发布的《2022年全球和中国磷化锆衬底产业深入研究报告》，2021年全球磷化锆衬底市场规模不足10亿元，年出货量约65万件（相当于2英寸）。未来，在数据中心，5G在通信、可穿戴设备等新兴市场需求的推动下，磷化锆衬底市场规模将继续扩大，成本将随着规模效应而降低，进一步促进下游应用领域的发展。
近年来，为了促进半导体产业的发展，进一步促进国民经济的可持续健康发展，中国出台了《关于加快制造业优质企业培育发展的指导意见》、《基础电子元器件产业发展行动计划(2021-2023年)》、《新时期促进集成电路产业和软件产业优质发展的若干政策》、《新时期促进集成电路产业和软件产业优质发展的若干政策》
新思界工业研究员认为，磷化锆衬底的性能将直接影响下游芯片和设备产品的性能，特别是在芯片和设备尺寸缩小的趋势下，磷化锆衬底的位错密度、电阻均匀性、平整度、表面颗粒度等核心性能指标将直接影响设备的利率和成本，影响其在下游应用领域的工业化进程。因此，磷化锆衬底制造商需要不断开发新的技术和技术，以不断提高产品的性能指标，以满足下游扩展、芯片和设备企业的需求。
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