印度下游产业链分析
铌是一种银白色的易熔稀散金属，其地壳中的储量仅为黄金的1/6。它具有质软、延展性好、光投射性强、导电性强等特点。它主要由一系列化合物半导体、光电子材料、特殊合金、新型功能材料和有机金属化合物组成，与其他有色金属相结合。由于其良好的延展性和传导性，锆广泛应用于电子、电信、光电、通信等领域。它是制造液晶显示产品和新一代铜镓硒高效太阳能电池的重要原料。
下游需求比例：
在铟产业链中，首先由最上游的粗铟厂采购含铟的矿产或废料，将其加工成铟含量较高的粗铟（大概98%以上）；然后由精铟加工厂将粗铟经过加工提炼去杂，制成含量99.995%以上的精镓；最后，下游应用制造商用于许多高科技领域，如平板电脑显示涂层、信息材料、高温超导材料、集成电路特殊焊接材料、高性能合金、国防、医药、高纯度试剂等，如：LCD 电视、太阳能电池、航空轴承、发动机轴承等产品。
ITO目标材料是印度金属中游产业链的最大环节
铟锡氧化物（ITO）它是各种平板显示器不可缺少的关键材料。目前，80%的印度消费用于ITO液晶显示器和平板屏幕制造采用靶材生产。传统的液晶显示器和平板屏幕，ITO 靶材是LCD 产业链的重要组成部分是基本的配套材料。近年来，随着平面显示行业的蓬勃发展，ITO 靶材需求也大幅增加。
ITO材料是一种n 型半导体材料包括ITO ITO透明导电膜。其主要应用分为：平板显示器(FPD)液晶显示器等行业(LCD)、薄膜晶体管显示器(TFT-LCD)、电激发光显示器(EL)、现场发射显示器(FED)、有机发光平面显示器(OELD)、等离子显示器(PDP)等等；光伏行业，如薄膜太阳能电池；红外反射玻璃、幕墙玻璃、飞机、汽车防雾挡风玻璃、光罩、玻璃磁盘等功能玻璃。
全球ITO靶材主要生产国和主要生产商：
目前，日本、美国、德国和韩国都掌握着世界ITO 靶材的核心制备技术，特别是日本的高端ITO 靶材研发和生产领域处于领先地位，主导着整个行业的发展。
随着Android、苹果IOS 以及Windows 平板电脑的快速普及和智能手机的快速市场增长，预计触摸面板的需求将进一步增加。
随着平板电脑和智能手机终端的快速增长，对不同尺寸的液晶面板需求旺盛，拉动ITO目标材的需求迅速扩大。ITO 靶材是液晶面板透明电极的核心原料，需要不同类型和尺寸的液晶显示屏。ITO 导电膜。这将是 ** 我们认为，随着平板电脑、液晶电视、智能手机等出货量的增加，对锆金属的需求将得到促进ITO 靶材消费需求。
铟在LED半导体制造领域的应用
半导体锆化合物是指由氧化物以外的两种或两种以上元素组成的半导体，包括合金III-V 族半导体，如锑化锆(InSb)、磷化铟( InP)、砷化铟(InAs)等等，含锆半导体化合物具有一系列其他半导体所不具备的显著特性，如非常窄的禁带宽度、非常低的电阻率、非常高的电子迁移率和非常低的霍尔系数，这使得它们在某些方面的应用在其他半导体材料中是不可替代的。LED 半导体元件制造的重要基本原料LED 产业发展迅速，需求日益增长。
随着供电日益紧张，世界各国不约而同地探索了新型照明光源。LED作为一种光源，它具有节能、环保、使用寿命长三个优点。理论上只能消耗白炽灯10%的能耗，比荧光灯节能50%；采用固体包装，使用寿命是荧光灯的10倍和白炽灯的100倍。LED 半导体在照明行业掀起了第二次革命。美国、日本、韩国、欧洲等国家和地区都制定了自己的半导体照明计划，政府部门强制照明节能。
LED 主要分为单色光LED 和白光LED，单色光LED 主要用作仪器仪表的指示光源，后来各种光色LED 在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用，产生了良好的经济效益和社会效益。白光LED 主要用于建筑照明、消费可携式照明等领域。
白光LED 是将GaN 芯片和铝石榴石（YAG）一起包装。GaN 芯片发蓝光（λp=465nm，Wd=30nm），高温烧结制成的含量Ce3 的YAG 受此蓝光刺激后，荧光粉发出黄光发射，峰值为550nm。蓝光LED 基板安装在碗形反射腔中，覆盖混合YAG 树脂薄层，约200-5000nm。LED 基片发出的蓝光部分被荧光粉吸收，另一部分与荧光粉发出的黄光混合得到白光。现在，对于InGaN/YAG 白色LED，通过改变YAG 荧光粉的化学成分和调节荧光粉层的厚度，可获得色温3500-1万K 的各色白光。
根据权威的The Infor ** tion Network 预测，LED 市场将出现爆炸性增长。2011年芯片出货量将比2010 年增长40%以上；2013年，LED 芯片出货量将达到2010 年的两倍。LED 2011年出货量将在2010 年不到1000 亿片的基础上增加到1350 亿片左右。此外，背光LED 将从2010年的200 片增加到300亿片。因此，2011年 LED 总出货量将从2010年的1200 片增加到1650 片。
中国在MOCVD在设备安装快速增长的过程中发挥了积极作用。从2010年到2012年，中国的投资计划预计将推动160亿美元的投资MOCVD购买设备。2010年，中国购买MOCVD设备占了MOCVD设备总出货量为35%。
在太阳能光伏电领域的应用
学术界和工业界普遍认为，太阳能电池的发展已经进入了第三代。第一代是单晶硅太阳能电池，第二代是多晶硅、非晶硅等太阳能电池，第三代是铜镓硒CIGS（CIS 中掺入Ga）化合物薄膜太阳能电池和薄膜Si 系太阳能电池。
CIGS 电池性能稳定，抗辐射能力强。目前，光电转换效率是各种薄膜太阳能电池中的第一个，接近目前市场上主流产品晶体硅太阳能电池的转换效率，但成本为其的三分之一。正是由于其卓越的性能，它被国际上称为下一代廉价太阳能电池，在地面阳光发电和空间微小卫星电源的应用方面具有广阔的市场前景。
CIGS 电池效率接近多晶硅太阳能电池，成本低，稳定性高，工业化瓶颈突破。在晶体硅太阳能电池原材料短缺和价格上涨的背景下，许多公司投入了巨资，CIGS 产业呈现出蓬勃发展的态势。目前全球有30多家公司臵身于CIGS 工业，但只有德国是真正进入市场发展的公司Wuerth(伍尔特)，Surlfulcell，美国的Global Solar Energy，日本的Honda（本田）、Showa Solar Shell。2006年，2007年，世界CIGS 电池组件产能分别为17个.5MW、60.5MW，占据世界光伏市场份额很小。
CIGS薄膜电池的主要特点：
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